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应用质料公司宣布推出新产物，Mirra Durum CMP系统以及VIISta 900 3D热离子植入系统。协助全球领先的碳化矽(SiC)晶片制造商，从150毫米晶圆制造升级为200毫米制造，增添每片晶圆裸晶(die)约一倍的产量，以知足全球对优质电动车动力系统日益增添的需求。

由于SiC功率半导体可以高效地将电池功率转化为扭力，并提高电动车的性能和续航能力，因此市场需求极高。和矽对照，SiC自己较为坚硬，其原生缺陷可能会导致电气性能、功率效率、可靠性和产能下降，以是，需要更先进的质料工程手艺来优化裸晶圆的生产，并建构对晶格损害最小的电路。

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碳化矽晶片也可以说是天下最佳电动车动力系统的要害，应用质料公司推出新的200毫米化学机械研磨(CMP)系统，可正确移除晶圆上的碳化矽质料，最大化晶片效能、可靠性和产能；新的碳化矽晶片「热植入」手艺，可在对晶格结构损坏最小的情形下注入离子，进而最大化发电量和元件产能。SiC晶圆的外面品质对SiC元件的制造至关主要，由于晶圆外面的任何缺陷都市移转到后续的系统层中。为了生产外面品质最佳的平均晶圆，应用质料公司开发了Mirra Durum CMP系统，该系统可以将抛光、质料移除的丈量、洗濯和干燥整合在统一个系统中。与机械轮磨(grinding)的SiC晶圆相比，应用质料公司的新系统可将制品晶圆的外面粗拙度降低50倍，与批次CMP加工系统相较，粗拙度则降低3倍。

制造SiC晶片时，会透过离子植入法将掺质(dopant)放置于质料中，协助实现和指导高功率生产电路中的电流流动。但SiC质料的密度和硬度同时也会晤临以下极大的制程挑战：掺质的注入、准确置放和启动，以及最大限度削减对晶格的损坏，以制止降低效能和功率效率。应用质料公司150毫米和200毫米SiC晶圆的新型VIISta 900 3D热离子植入系统，可以解决这些挑战。因热植入手艺在注入离子时对晶格结构的损坏最小，与常温植入相比，电阻率降低了40倍以上。